이 간단한 MOSFET 제어 트랜스포머리스 전원 공급 장치 회로는 연속 가변 0 ~ 300V DC 출력 및 100mA ~ 1A의 전류 제어를 제공하는 데 사용할 수 있습니다.

고전압 연구 프로젝트가 영구적으로 연기가 나지 않도록 보호하기 위해 0 ~ 330V의 가변 전압 공급을 렌더링 할 수있는 쉬운 회로를 개발했습니다.

그러나주의하십시오. 회로는 주전원 전위와 분리되어 있지 않으므로 치명적인 충격을 줄 수 있습니다.

전원은 단락 방지 기능이 있습니다. 전류는 약 100mA로 제한됩니다.

회로 작동

이 설계에는 변압기가 필요하지 않으며, 단락이나 부품 고장시 최고의 안전성을 제공하기 위해 입력에 100 와트 전구가 도입됩니다.

램프를 통과 한 후의 주전원 전압은 브리지 D1 (1Amp / 500V) 및 C1로 정류됩니다.

T1은 소스 팔로워로 구성됩니다. T1의 소스는 R3의 와이퍼 전압을 따릅니다. D2는 T1의 게이트를 보호하기 위해 보험에 가입되어 있습니다.

“발전기 ac 또는 dc입니다 ”

T2 및 션트 저항 R2는 전류 제한기를 설정합니다. 출력 전류가 과도해질 때마다 T2는 T1의 게이트를 빠르게 방전합니다.

이것은 전류가 더 이상 증가하는 것을 막습니다. R3의 값은 기본적으로 실험적으로 확인되었지만 실제로는 T2의 Hfe에 따라 달라 지므로 R2의 값을 적절하게 조정해야 할 수도 있습니다.

T1에는 대형 히트 싱크가 필요하다는 점을 명심하십시오. 최악의 상황에서 T1은 아마도 330V x 100mA = 33W를 분산시킬 것입니다!

BUZ 326 (400V / 10.5Amp)과 같은 MOSFET을 사용해 보거나 IRF740 (400V / 10Amp)을 사용할 수도 있습니다.

전원 공급 장치의 출력 임피던스는 T1의 베타에 따라 달라 지므로 MOSFET이 클수록 출력 임피던스가 낮아집니다!

회로도

최신 정보:

“직류 발전기는 무엇입니까 ”

위의 디자인은 다음 다이어그램에 표시된 것처럼 훨씬 단순화 될 수 있습니다. 브리지 정류기가 제거되어 MOSFET의 스트레스 수준을 대폭 줄였습니다. 그러나 반파 정류로 인해 생성되는 리플은 훨씬 더 높을 수 있습니다. 출력 10uF 필터 커패시터는이를 어느 정도 줄이는 데 도움이됩니다. 이 커패시터의 값은 DC 품질 향상을 위해 더 높은 수준으로 증가 할 수 있습니다.

입력 직렬 램프를 추가 할 수 있지만 설계에 전류 제어 단계가 있기 때문에 필요하지 않을 수 있습니다. 그러나 더 나은 안전을 위해 입력 라인과 직렬로 퓨즈를 추가 할 수 있습니다.

비디오 증명 :

이 전원 공급 장치는 조정 된 전원 출력을 얻는 데 사용할 수 있으며, 0에서 최대 300V까지 가변적입니다. 모든 장치는 방열판에 장착해야합니다.

BJT와 Mosfets의 조합 사용

회로 작동

무 변압기 0-300V 가변 전원 공급 장치 회로도는 다음과 같은 점으로 이해 될 수 있습니다. 그림에서 알 수 있듯이 고전압 트랜지스터 BF458이 주 부하 처리 장치로 사용됩니다.
베이스 바이어스는 이미 터가 안정된 24V로 고정 된 또 다른 고전압 트랜지스터 BF337에 의해 제어되며, FET는 1M 포트를 통해 트랜지스터 BF337의베이스 전류를 선택하는 데 사용됩니다.

이 설정은 BF337의 기본 전류를 조정하여 차례로 메인 트랜지스터 BF458s 전압 및 전류 흐름을 출력으로 제한합니다.

회로에 대한 입력은 브리지 네트워크와 10u / 400V 커패시터를 사용하여 적절한 정류 및 여과 후 전원 AC에서 직접 유도 될 수 있습니다.

전체 회로는 만지기에 극도로 위험하므로이 회로를 만들고 테스트하는 동안 적절한주의를 기울여야합니다.