스턴 건 회로라고도 알려진 테이 저 회로는 심각한 손상이나 부상을 입히지 않고 한동안 사람을 마비시키는 데 사용되는 치명적이지 않은 전기 충격 생성 장치입니다. 특히 공격자를 고정시키는 데 매우 유용한 장치입니다.

스턴 건의 사용 및 제작은 대부분의 국가에서 제한됩니다.

그러나 미국의 일부 주에서는 전기 충격기 사용을 허용합니다.

스턴 건은 립스틱 스턴 건, 핸드폰 스턴 건, 스턴 봉, 경찰 스턴 건, 핑크 리본 스턴 건, 변장 한 스턴 건 등 다양한 스타일로 제공됩니다.

어떻게 작동합니까?

구성하기 전에 다음 지침을 읽으십시오.

테이 저 건으로도 알려진이 가제트는 근육 조직과 신경계를 방해 할 수있는 상당한 전압 펄스를 생성하여 정신적 혼란 상태에서 접촉하는 모든 개인을 강제합니다.

이 유닛은 공격하는 짐승이나 위험한 침입자에게 사용할 수 있습니다.

이 가제트는 귀하의 국가에서 금지 될 수 있습니다.

이 장치는 상당히 많은 RF 간섭을 전달할 수 있기 때문에 외부 전자 장치 (예 : 피스 메이커)를 사용하는 심장 문제가있는 사람들에게 매우 위험 할 수 있습니다.

이 도구를 사용하여 무모한 행동을 시도하지 마십시오. 장난감과는 거리가 멀습니다.

Taser는 2 단계 전압 변환기와 같은 기능을합니다. 첫 번째 단계에서 고주파 스위칭 변압기는 커패시터를 충전하기 위해 배터리 전압을 수 kV로 증가시킵니다. 커패시터가 충전 된 후 5-40Hz (대략)의 반복률로 전압을 10 – 50kV (대략)로 증가시켜 두 번째 변압기에 전원을 공급합니다.

테이 저 유형

Taser의 기본 유형은 Multiplier, Thyristor 및 Spark Gap입니다. Multiplier Taser는 더 높은 출력의 전압을 가진 하나의 변압기로 만들어지며 DC 전압으로 작동합니다.

이 유형의 Taser에는 고전압 커패시터와 다이오드도 있으며 배율기 Taser가 큰 소리를내는 커패시터 용입니다.

사이리스터 유형이 가장 효율적인 유형입니다. 여기서 커패시터의 전압은 높지 않으며 (약 250 ~ 500V) 저항 분배기 (네온 램프)와 diac의 두 가지 주요 구성 요소를 지원합니다.

반면에 스파크 갭 건은 가장 저렴하고 비효율적 인 스턴 건입니다. 이름에서 알 수 있듯이 작동하려면 스파크 갭이 있으며 배터리 전압은 트랜지스터 변환기로 충전됩니다.

디자인 # 1 : 테이 저 제작 방법

세 가지 유형의 테이 저 중에서 저는 그 효과 때문에 사이리스터를 선택했습니다. 전압 변환기를 구축하기 위해 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)를 사용했습니다. MOSFET을 사용하는 주된 이유는 순전히 효율성 측면에서 비롯됩니다.

스턴 건에 일반적으로 사용되는 푸시-풀 컨버터에서 레벨은 약 20 %에 도달하는 반면 MOSFET에서는 컨버터가 80-120kHz의 작동 주파수로 75 %의 효율을 제공합니다.

그런 다음 점화 전압이 95V이고 펄스 반복률이 30-50Hz 인 네 개의 네온 글로우 램프와 함께 두 번째 스위치에 게이트 사이리스터를 사용했습니다.

변압기 사양

인버터 변압기의 경우 중간 열 단면적을 20 – 25 mm2로 유지하는 EE 코어 기반 변압기를 사용하는 것을 선호했습니다.

0.5mm 두께의 에어 갭은 중간 기둥에 위치합니다. 1 차 극성은 와이어 직경 (0.4mm)의 2x12 회전으로 설정되고 2 차 극성은 와이어 700 회전 (0.1mm)으로 설정됩니다.

2 차 극성은 여러 개의 분리 된 층으로 감겨 있습니다. 층을 분리하는 이유는 고전압에서 와이어 에나멜이 끊어지지 않도록하기 위함입니다. 테이 저 건에는 두 개의 전극이 있습니다. 다트처럼 보이며 전도성 와이어로 본체에 연결됩니다.

배터리 사양

1.5V 셀 6 개 또는 1.2V 셀 7 개로 스턴 건에 전원을 공급할 수 있습니다.

가장 좋은 옵션은 시리즈를 연결하는 두 개의 셀 또는 Li-pol 또는 Li-ion을 갖는 것입니다. 이 스턴 건은 스위치를 켰을 때 최대 1.5A의 전류를 소모 할 수 있으며, 이는 일반 배터리가 효율적으로 작동하지 않고 빠르게 소모 될 수 있음을 의미합니다.

작성 및 제출자 : Dhrubajyoti Biswas

회로도

디자인 # 2 : IC 555 사용

제안 된 스턴 건 회로 설명은 다음과 같이 이해할 수 있습니다.

555 IC는 가변 주파수 및 듀티 사이클로 사각 파를 생성 할 수 있도록 안정적으로 연결됩니다 (전위차계 및 다이오드 참조).

이 신호는 IRF840 Mosfet에 공급됩니다 (토템 트랜지스터 네트워크를 통합 할 필요는 없습니다. 주파수가 감소되므로 IC는 게이트를 신속하게 충전 / 방전 할 수있는 적절한 전류 전위를가집니다).

MOSFET의 대안으로 바이폴라 트랜지스터는 매우 잘 작동합니다 (555와 트랜지스터베이스 사이에 100 옴 저항 추가).

적절한 BJT는 BU406이 될 수 있지만 추가로 축소 된 BJT는 정상일 수 있습니다. 최소 2A의 논스톱에 대처할 수 있어야한다는 점을 고려하세요.

유도 식 부스트 스너 버는 전력이 더 낮기 때문에 필요하지 않습니다. 이는 탱크 커패시터를 충전하기 위해 거의 완전히 흡수되는 전력이 더 낮기 때문입니다. 또한이 가제트는 배터리로 구동되기 때문에 저항에 전력을 분산시키고 싶지는 않지만 그래야합니다. 불꽃을 일으키십시오.

snubbing 시스템을 사용하면 발사 수준이 감소합니다. 보호를 위해 푸시 버튼 스위치 활용

“회로의 공진 주파수는 얼마입니까? ”

스턴 건 회로를위한 Transformer 빌드 :

이것은 실제로 지루한 측면이 될 수 있습니다. 소매상에서 우리는 이것을 만들어야하기 때문입니다. 필수 구성 요소 : 에나멜 구리선 (0.20mm 또는 0.125mm), 페라이트 막대, LDPE 시트 (0.25mm).

페라이트로드에 ldpe (폴리에틸렌, 전기 절연 테이프를 대신 사용)를 도포하고 접착 (또는 테이프) 위치 ldpe에 200-250 권선 위치 (로드가 1 '), 추가 ldpe 애플리케이션, 또 다른 200-250 권선 등이 결국 5-6 계층 (약 1000-1400 회전에도 불구하고 추가 회전이 기능에 부정적인 영향을 미치지 않음)을 갖게 된 다음 다시 내부 아크에주의하십시오. 그것은 그것을 파괴 할 수 있습니다.

한 번 더 절연하고 1 차 권선을 설정합니다. 1mm 와이어를 15 ~ 20 회 감는 것은 간단합니다. 권선이 너무 많으면 상승 기간이 줄어들어 T2 2 차측에서 전류가 감소하고 스파이크가 감소 할 수 있습니다. 코어를 포화시키지 않을 것입니다.

최소 ESR 및 ESL이 있으므로 MKP 커패시터를 사용하십시오 (테슬라 코일에서 mmc 커패시터로 널리 사용됨).