간단한 핸드폰 방해 기 회로

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이것은 미국 800MHz 휴대폰 대역 (870-895MHz) 용으로 설계된 RF 방해 전파입니다. 이것은 휴대폰 핸드셋의 작동 주파수 범위에서 압도적 인 스위핑 RF 캐리어를 생성함으로써 작동합니다.

회로 작동

Exar XR2206 다목적 생성기는 방해 전파 회로의 스위프 부분을 공급하기위한 삼각파 생성기 역할을합니다.



스위프 생성기는 Z-Communications V580MC04 VCO (Voltage Controlled Oscillator)를 처리하여 약 100kHz의 속도로 대략 850-895MHz 사이를 스위프합니다.

VCO는 확실히 휴대폰 재밍 프로세스의 핵심 구성 요소입니다. 이는 약간의 4 단자 장치 (Vcc, RF 출력, 전압 조정 및 접지)로, 공칭 정도의 번거 로움으로 선호되는 낮은 수준의 RF 출력 신호로 변환됩니다.



안타깝게도 의도 한 주파수 범위를 커버하도록 설계된 VCO는 얻기가 쉽지 않습니다. Mini-Circuits 및 Z-Communications와 같은 제조업체는 특히 VCO 제품을 개별적으로 직접 홍보하거나 가까운 공급 업체에 제공 할 준비가되어있는 전자 애호가의 아마추어를 선호합니다.

결정한 VCO는 방해가 될 수있는 휴대폰 기지국의 다운 링크 파장 (타워 전송)의 주파수 범위를 통합해야합니다.

수신기를 방해하려고 시도하는 경우가 많으므로 이러한 이유로 휴대 전화 타워의 송신 주파수 인 이동국 (핸드셋)의 수신 파장을 방해하고 싶을 것입니다. 이 모든 주파수는 전 세계적으로 다를 수 있지만 대체로 접근하는 방식은 계속 동일합니다.

전압 제어 발진기

VCO의 전압 레귤레이션 라인에 대해 미리 결정된 DC 오프셋을 제공하도록 두 개의 5kohm 멀티 턴 전위차계가 설정되어 있습니다. 이것이 실행되는 것은 스위핑 삼각파가 양의 DC 전압 오프셋을 허용하여 원하는 재밍 주파수 스펙트럼 내에서 스위핑 삼각파를 '중심'으로 지원하는 것입니다. 삼각파의 진폭은 재밍 스펙트럼의 주파수 폭과 조화롭게 일치합니다. 다음은 표준 VCO를 사용하는보기입니다.

위의 논의에서 일반적인 VCO는 0 ~ +6 VDC의 전압 튜닝으로 790-910MHz 사이에서 튜닝 할 수 있습니다. 이것은 약 20MHz의 튜닝 / 볼트로 밝혀졌습니다. 볼트 당.

즉, 870-890MHz 사이의 주파수 범위를 '잼'하려는 경우 DC 오프셋이 + 4V 인 + 1V 피크 대 피크 삼각파가 필요합니다.

이것은 +4 ~ +5 VDC (접지에서 참조) 사이를 스위핑하는 전압 신호로 판명 될 수있을뿐만 아니라 870-890MHz 사이에서 VCO의 RF 출력을 스위핑 할 ​​수 있습니다. 실제로, 전압-주파수 매핑은 이처럼 정확하게 중요하지 않습니다.

RF 방해 전파 시퀀스의 또 다른 중요한 부분은 최종 단계 RF 전력 증폭기입니다. 이것은 예를 들어 + 10dBm (10 밀리 와트)에서 미니 RF 입력 신호를 분리하고 약 + 36dBm (4 와트) 이상까지 확장하는 단계로 간주 될 수 있습니다.

이러한 증폭기의 소스를 쉽게 얻을 수있는 것은 일부 폐기 된 아날로그 휴대폰 자체에서 나옵니다. 일부 사용하지 않는 오래된 휴대폰 (Motorola, Nokia, Uniden 등)은 광대역 RF 전력 '하이브리드'모듈을 사용하여 구성을 훨씬 번거롭고 축소 할 수 있습니다.

이러한 유형의 RF 모듈 장비는 주파수 측면에서 상당히 광대역이며 지정된 범위를 벗어나는 RF 신호를 편안하게 확대하도록 설계되었습니다. 모듈의 RF 전력 제어 바이어스 (Vapc) 또는 Vdd 전압을 강화하면 추가로 이로부터 더 많은 이득을 추출 할 수 있지만 # blank #도 전력 모듈의 예상 수명에 영향을 미칠 수 있습니다. RF 전력 모듈은 중요하고 잘 연마 된 히트 싱크와 연결되어야 할 수 있으며 고전력 증폭기에 냉각 팬이 필요할 수 있습니다.

PF0030 RF 증폭기 IC 사용

이 프로젝트를 완료하기 위해 사용되거나 폐기 된 CT-1055 Radio Shack / Nokia 휴대폰에서 추출한 Hitachi PF0030 820-850MHz RF 전력 증폭기 모듈을 사용합니다.

이러한 일반적인 장치는 이러한 상위 주파수 범위에서 공칭 이득 감소만으로 900MHz 이상에 할당됩니다. +15 ~ + 17VDC에서 Vdd 전압을 적용하면 액세스 가능한 RF 전력 출력이 약간 증가 할 수 있습니다. 나는 적절하게 배치하고 큰 방열판으로 고정한 상태에서 최대 10 와트 이상의 출력에 도달하기 위해 이것을 당겼으며, 이것은 일반적으로 위험 상황을 받아들이지 않는다고 말했습니다. 최적의 RF 출력 전력을 약 5 ~ 8 와트로 유지하면서 누릅니다.

적당한 양의 광대역 RF 전력 하이브리드 보드는 의도 한대로 실행하기 위해 + 13dBm (20mW) 이상의 RF 입력을 거의 사용하지 않습니다. RF 사전 증폭 단계. RF 입력 전력을 강화하면 전력 모듈의 수명에만 영향을 미치고 출력 이득에 공칭 스트레스를 줄 수 있습니다.

안테나 최적화

모든 무선 기술의 중요한 영역은 안테나 일 수 있습니다. 안테나 부분 (및 동축 케이블)에 넉넉한 금액을 투자하면 번거 로움을 최소화 할 수 있습니다. 옷걸이와 악어 클립 몇 개에 의존하면 작동하지 않는다고 불평하면서 하루에 수백만 번 저에게 연락하고 싶을 것입니다.

그러나 좋은 점은 (아마도) 정크 처리 된 아날로그 휴대폰에서 합리적으로 좋은 안테나를 찾아 낼 수 있다는 것입니다. 이러한 마그네틱 또는 트렁크 장착 안테나가 가장 잘 호환됩니다. 유리 장착 안테나 또는 '고정'과 같은 것은 전통적으로 성가신 일입니다. 방향 이득 (Yagi) 안테나는 안테나가 향하는 영역에서만 방해 전파의 작동 범위를 향상시키기 위해 시도 할 수도 있습니다. 고 이득 무 지향성 안테나는 대부분의 RF 재밍 구현에서 매우 성공적인 것으로 간주 될 수 있습니다. 홈브류 프로토 타입의 경우 900MHz 대역 아마추어 무선 대역 안테나를 축소 (또는 확대) 할 수 있습니다.

아래는 Z-Comm V580MC04 VCO의 전압 대 주파수 매핑입니다. RF 출력 전력은 전체 주파수 스펙트럼에서 약 + 8dBm이었습니다.

다음 이미지는 구형 Radio Shack CT-1055 (Cat No. 17-1007A) 800MHz 대역 아날로그 휴대 전화의 개요를 보여줍니다.

히트 싱크 위에 장착 된 Hitachi PF0030 RF 전력 증폭기 IC 모듈의 존재와 장치와 히트 싱크 사이에 사용되는 충분한 히트 싱크 화합물을 확인할 수 있습니다. 논의 된 프로토 타입에서 방열판과 함께 전체 IC가 회수되었습니다.

그러한 alanogue 휴대폰 회로를 가지고 있지 않은 경우 시장에서 새 제품을 구입할 수 있으며 동일한 핀아웃 세부 정보를 아래에서 볼 수 있습니다.

다음 그림은 완성 된 800MHz 휴대 전화 방해 기 장치의 개요를 보여줍니다.

위의 대안이 아래에서 목격 될 수 있습니다.

위에서 설명한 휴대폰 방해 기의 완전한 회로도 :

(제공 : https://blockyourid.com/~gbpprorg/mil/celljam1/)

위의 휴대폰 방해 전파 단계를위한 10V 조정 전원 공급 장치




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