간단한 터치 작동 전위차계 회로

이 터치 작동 전위차계 회로에는 두 개의 터치 패드가 있는데, 하나의 터치 패드를 터치하면 출력에서 ​​천천히 증가하는 전압을 생성하고 다른 터치 패드를 터치하면 감소하는 전압을 생성합니다.

터치 접점이 제거되면 전압은 '영구적으로'증가 또는 감소 된 특정 레벨로 유지됩니다.

터치 패드 스위치는 일반적으로 기본 디지털 메모리 시스템을 통합하여 작동합니다. 그러나 이들은 또한 구성이 간단한 저비용 회로를 통해이 기사에서와 같이 아날로그 출력 전압을 허용하도록 작동 될 수 있습니다.

회로 설명

회로는 적분기로 구성된 매우 높은 입력 임피던스를 갖는 연산 증폭기 인 IC1을 중심으로합니다.

터치 패드 TP1을 손가락, 커패시터 C2로 터치하면 MKT 유형의 저 누설 커패시터 인 MKT 유형의 저 누설 커패시터가 피부 저항을 통해 충전되어 IC1의 출력 전압이 선형 적으로 0으로 감소합니다.

두 번째 터치 패드 인 TP2를 터치하면 반대 반응이 나타납니다. 이제 IC1의 전압 출력은 공급 전압과 동일한 수준으로 선형 적으로 증가합니다.

이 터치 식 전위차계 회로의 가장 큰 특징은 손가락 접촉이 패드에서 제거 되 자마자 IC1의 출력에 나타나는 전압 크기가 C2의 저장된 전하에 의해 유지된다는 것입니다.

커패시터의 피할 수없는 누설 전류로 인해 출력 전압은 마지막으로 터치 한 특정 키패드에 따라 시간당 약 2 % 씩 0 또는 공급 전압으로 드리프트되기 시작합니다.

누설 전류를 가능한 최소화하려면 회로를 습기 나 습기가없는 곳에 두는 것이 중요합니다. 이것은이 디자인을 구현하는 동안 고려해야 할 중요한 측면입니다.

응용

이 솔리드 스테이트 터치 패드 전위차계 회로의 적용 가능성은 광범위 할 수 있습니다. 터치 작동 가변 전압을 생성하기 위해 전위차계가 필요한 거의 모든 곳에서 사용할 수 있습니다.

터치 패드 대신 표준 푸시 버튼 스위치를 사용하려는 경우 다음 그림은 터치 패드 지점을 대체하여이를 구현할 수있는 방법을 설명합니다.

저항 R3 및 R4는 스킨 저항 스위치 S1 및 S2를 모방하여 IC1에 입력 전위를 공급합니다.

두 개의 스위치를 함께 누르면 출력은 영향을받지 않고 기존 값에 어떠한 변화도 생성하지 않습니다. 커패시터 C3 및 C4는 연산 증폭기가 발진 모드로 전환 될 가능성을 모두 제거합니다.