그만큼 SCR 또는 사이리스터 한 종류의 반도체 장치 특히 고전력 스위칭 애플리케이션에서 활용하도록 설계되었습니다. 이 장치의 작동은 스위칭 모드에서만 수행 할 수 있으며 스위치 역할을합니다. SCR이 게이트 터미널에 의해 전송으로 트리거되면 전류를 지속적으로 공급합니다. SCR 또는 사이리스터 회로를 설계 할 때 회로를 활성화하려면 특별한 농도가 필요합니다. SCR 회로의 전체 영역의 작동은 주로 트리거링 방식에 따라 다릅니다. 이 문서에서는 SCR 트리거링 또는 SCR 켜기 방법 또는 사이리스터 트리거링의 다양한 방법에 대해 설명합니다. 온도, 전압 등 다양한 엔티티에 따라 다양한 트리거링 방법을 사용할 수 있습니다. SCR 트리거링에서 자주 사용되는 몇 가지 방법에 대해 설명합니다.

SCR 트리거링이란 무엇입니까?

실리콘 제어 정류기 (SCR) 또는 사이리스터에는 순방향 전도와 순방향 차단이라는 두 가지 안정적인 상태가 포함되어 있습니다. SCR 트리거링 방법은 SCR이 순방향 차단 상태에서 순방향 전도 상태 (OFF 상태에서 ON 상태)로 전환 될 때 다음과 같이 정의 할 수 있습니다. SCR 켜기 방법 또는 SCR 트리거링.

실리콘 제어 정류기

SCR 트리거링 방법

SCR 트리거링은 주로 온도, 전압 공급, 게이트 전류 등과 같은 다양한 변수에 따라 달라집니다. 전압이 제어되는 실리콘에 적용될 때 정류기 , 양극 단자를 음극과 관련하여 + ve로 만들 수 있다면 SCR은 포워딩 바이어스로 바뀝니다. 따라서이 사이리스터는 순방향 차단 상태로 들어갑니다.

scr 트리거링 회로

이것은 전도 모드로 활성화되도록 만들 수 있으며 모든 유형의 SCR 켜기 방법을 사용하여 수행합니다. 다음을 포함하여 SCR을 활성화하는 다양한 방법이 있습니다.

순방향 전압 트리거링
온도 트리거링
dv / dt 트리거링
라이트 트리거링
게이트 트리거링

순방향 전압 트리거링

이러한 종류의 트리거링 방법은 주로 양극과 음극 사이의 전압을 높이는 데 사용됩니다. 그래서 공 핍층의 폭이 증가 될 수 있고 J2 접합에서 소수 전하 캐리어의 가속 전압을 증가시킵니다. 또한 이것은 눈사태 고장 순방향 브레이크 과전압에서 J2- 접합의.

이 단계에서 실리콘 제어 정류기는 전도 모드로 변경 될 수 있으므로 전압 강하가 적은 거대한 전류 흐름이 존재합니다. SCR의 트리거링 상태 전체에서 포워딩 전압 강하 범위는 SCR에서 1 ~ 1.5V입니다. 이것은 부하 전류를 사용하여 증폭 될 수 있습니다.

“테이저를 만드는 방법 ”

실제로이 방법은 음극에 매우 큰 양극 전압이 필요하기 때문에 사용할 수 없습니다. 전압이 브레이크 과전압보다 높으면 매우 큰 전류를 제공합니다. 이것은 사이리스터에 해를 끼칠 수 있습니다. 따라서 대부분의 상황에서 이러한 종류의 SCR 트리거링 방법을 사용할 수 없습니다.

온도 트리거링

이러한 유형의 트리거는 주로 일부 상황으로 인해 발생합니다. 갑작스런 반응을 증가시킬 수 있으며 그 결과는 모든 설계 방법의 요소와 함께 기록되어야합니다.

사이리스터의 온도 트리거링은 주로 J2 접합부의 전압과 누설 전류가 접합부의 온도를 높일 수있는 경우에 발생합니다. 온도가 상승하면 누설 전류가 증가합니다.

이 증가 방법은 장치의 온도가 높을 때 단순히 발생하는 경향이 있지만 사이리스터를 활성화하는 데 적합 할 수 있습니다.

dv / dt 트리거링

이 유형의 트리거링에서는 SCR이 포워딩 바이어스에있을 때마다 J1 및 J3과 같은 두 개의 접합이 포워딩 바이어스에 있고 J2 접합은 역 바이어스에 있습니다. 여기서 J2 접합은 접합부 전체의 기존 전하로 인해 커패시터처럼 작동합니다. 'V'가 SCR의 전압이면 전하 (Q)와 커패시턴스는 다음과 같이 쓸 수 있습니다.

ic = dQ / dt

Q = CV

ic = d (CV) / dt = C. dV / dt + V.dC / dt

dC / dt = 0 일 때

ic = C. dV / dt

따라서 SCR에서 전압 비율의 변화가 높거나 낮게 변하면 SCR이 트리거 될 수 있습니다.

라이트 트리거링

SCR이 빛의 방사로 트리거되면 LASCR 또는 Light Activated SCR로 명명됩니다. 이러한 종류의 트리거링은 HVDC 시스템 내에서 위상에 의해 제어되는 컨버터에 사용됩니다. 이 기술에서는 적절한 파장의 강도와 빛 방출이 J2 접합에 도달하도록 허용됩니다.

가벼운 트리거

이러한 종류의 사이리스터에는 P 층 내의 위치가 포함됩니다. 따라서이 위치에서 빛이 비추면 J2 접합부에서 전자 구멍 쌍이 생성되어 접합부의 리드에 추가 전하 캐리어를 제공하여 사이리스터를 트리거 할 수 있습니다.

게이트 트리거링

게이트 트리거링은 사이리스터 또는 SCR을 트리거하기 위해 효율적이고 가장 일반적으로 사용되는 방법입니다. 사이리스터가 순방향 바이어스 상태이므로 게이트 단자의 충분한 전압이 J2 접합에 일부 전자를 추가합니다. 이는 역방향 유출 전류를 증폭하는 데 영향을 미치므로 전압에서 여전히 J2 접합 항복은 VBO보다 작습니다.

사이리스터 크기에 따라 게이트 전류는 몇 mA에서 200 mA로 변경됩니다. 게이트 단자에 가해지는 전류가 높으면 추가 전자가 J2 접합에 삽입되고 그 결과 더 적은 전압에서 전도 위치에 접근합니다.

이 기술에서는 게이트와 음극과 같은 두 단자 사이에 양의 전압을 가할 수 있습니다. 따라서 SCR 트리거링을 위해 펄스 신호, DC 신호 및 AC 신호의 3 가지 종류의 게이트 신호를 사용할 수 있습니다.

게이트 SCR 트리거링 회로를 설계하는 동안 다음과 같은 중요한 사항을 염두에 두어야합니다.