달링턴 트랜지스터라는 용어는 발명가의 이름 인 시드니 달링턴에서 따 왔습니다. Darlington 트랜지스터는 두 개의 PNP 또는 NPN 함께 연결하여 BJT. PNP 트랜지스터의 에미 터는 다른 PNP 트랜지스터의베이스에 연결되어 스위칭 또는 증폭이 중요한 많은 애플리케이션에 사용되는 고전류 이득을 가진 민감한 트랜지스터를 생성합니다. Darlington 트랜지스터의 트랜지스터 쌍은 두 개의 개별적으로 연결된 BJT로 구성 될 수 있습니다. 우리가 알고 있듯이 트랜지스터는 스위치로 사용 BJT는 앰프뿐만 아니라 ON / OFF 스위치로도 작동 할 수 있습니다.
달링턴 트랜지스터
달링턴 트랜지스터
이 트랜지스터는 Darlington 쌍이라고도하며 낮은베이스 전류에서 높은 전류 이득을 제공하기 위해 연결된 두 개의 BJT를 포함합니다. 이 트랜지스터에서 i / p 트랜지스터의 에미 터는 트랜지스터베이스의 o / p에 연결되고 트랜지스터의 콜렉터가 함께 배선됩니다. 따라서 i / p 트랜지스터는 전류를 증폭하고 o / p 트랜지스터에 의해 더욱 증폭됩니다. Darlington 트랜지스터는 전력 손실, 최대 CE 전압, 극성, 최소에 따라 다른 유형으로 분류됩니다. DC 전류 포장의 획득 및 유형. 최대 CE 전압의 일반적인 값은 30V, 60V, 80V 및 100V입니다. Darlington 트랜지스터의 최대 CE 전압은 450V이고 전력 손실은 200mW ~ 250mW 범위 일 수 있습니다.
PNP 및 NPN 달링턴 트랜지스터
달링턴 트랜지스터의 작동
Darlington 트랜지스터는 전류 이득이 높은 단일 트랜지스터로 작동합니다. 즉, 소량의 전류가 마이크로 컨트롤러에서 사용 또는 더 큰 부하를 실행하는 센서. 예를 들어, 다음 회로는 아래에 설명되어 있습니다. 아래 Darlington 회로는 회로도에 표시된 두 개의 트랜지스터로 구성됩니다.
달링턴 쌍 트랜지스터의 작동
현재 이득이란 무엇입니까?
전류 이득은 트랜지스터의 가장 중요한 특성이며 hFE로 표시됩니다. Darlington 트랜지스터가 켜지면 전류가 부하를 통해 회로에 공급됩니다.
부하 전류 = i / p 전류 X 트랜지스터 이득
모든 트랜지스터의 전류 이득은 다양합니다. 일반 트랜지스터의 경우 전류 이득은 일반적으로 약 100입니다. 따라서 부하를 구동하는 데 사용할 수있는 전류는 트랜지스터의 i / p보다 100 배 더 큽니다.
트랜지스터를 켜는 데 필요한 i / p 전류의 양은 특정 애플리케이션에서 낮습니다. 따라서 특정 트랜지스터는 부하에 충분한 전류를 공급할 수 없습니다. 따라서 부하 전류는 i / p 전류 및 트랜지스터의 이득과 같습니다. 입력 전류 증가가 불가능하면 트랜지스터의 이득을 증가시켜야합니다. 이 프로세스는 Darlington 쌍을 사용하여 수행 할 수 있습니다.
Darlington 트랜지스터에는 두 개의 트랜지스터가 포함되어 있지만 동일한 전류 이득을 가진 단일 트랜지스터로 작동합니다. 총 전류 이득은 트랜지스터 1과 트랜지스터 2의 전류 이득과 같습니다. 예를 들어 전류 이득이 비슷한 두 개의 트랜지스터가있는 경우 (예 : 100)
총 전류 이득 (hFE) = transisotr1의 전류 이득 (hFE1) X 트랜지스터 2의 전류 이득 (hFE2)
100X100 = 10,000
위에서 볼 수 있듯이 단일 트랜지스터에 비해 전류 이득이 크게 증가합니다. 따라서 이것은 낮은 i / p 전류로 막대한 부하 전류를 전환 할 수 있습니다.
일반적으로 트랜지스터를 켜려면 트랜지스터의 기본 i / p 전압이 0.7V보다 커야합니다 (>). Darlington 트랜지스터에서는 두 개의 트랜지스터가 사용됩니다. 따라서 기본 전압은 0.7 × 2 = 1.4V가 두 배가됩니다. Darlington 트랜지스터가 켜지면 이미 터와 콜렉터의 전압 강하는 약 0.9V가됩니다. 따라서 공급 전압이 5V이면 부하 양단의 전압은 (5V – 0.9V = 4.1V)
달링턴 트랜지스터의 구조
Darlington 트랜지스터의 구조는 다음과 같습니다. 예를 들어 여기에서는 NPN 쌍 트랜지스터를 사용했습니다. 두 트랜지스터의 콜렉터는 서로 연결되고 트랜지스터 TR1의 에미 터는 TR2 트랜지스터의베이스 단자에 에너지를 공급합니다. 이 구조는베이스 및 콜렉터 전류 (ib 및 β. ib)에 대해 β 곱셈을 얻습니다. 여기서 전류 이득은 다음과 같이 정의되는 단위보다 큽니다.
달링턴 트랜지스터의 구조
Ic = Ic1 + Ic2
Ic = β1.IB + β2.IB2
그러나 트랜지스터 TR1의베이스 전류는 IE1 (에미 터 전류)과 같고 TR1 트랜지스터의 에미 터는 트랜지스터 TR2의베이스 단자에 연결됩니다.
IB2 = IE1
= Ic1 + IB
= β1.IB + IB
= IB (β1 + 1)
위의 방정식에서이 IB2 값을 대체하십시오.
Ic = β1.IB + β2. IB (β1 + 1)
IC = β1.IB + β2. IB β1 + β2. IB
= (β1 + (β2.β1) + β2). IB
위의 방정식에서 β1과 β2는 개별 트랜지스터의 이득입니다.
여기에서 첫 번째 트랜지스터의 전체 전류 이득에 β로 지정된 두 번째 트랜지스터를 곱하고 두 개의 바이폴라 트랜지스터가 결합되어 매우 높은 i / p 저항과 β 값을 가진 단일 Darlington 트랜지스터를 형성합니다.
달링턴 트랜지스터 애플리케이션
이 트랜지스터는 낮은 주파수에서 높은 이득이 필요한 다양한 응용 분야에 사용됩니다. 일부 응용 프로그램은
- 전력 조정기
- 오디오 증폭기 o / p 단계
- 모터 제어
- 디스플레이 드라이버
- 솔레노이드 제어
- 빛과 터치 센서.
이 모든 것 애플리케이션과 함께 작동하는 달링턴 트랜지스터 . 우리는 당신이이 개념을 더 잘 이해했다고 믿습니다. 또한이 주제 또는 전자 프로젝트 , 아래 댓글 섹션에 댓글을 달아 의견을 보내주세요. Darlington 트랜지스터의 주요 기능은 무엇입니까?
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