트랜지스터 (BJT)를 MOSFET으로 교체하는 방법

이 게시물에서는 회로의 최종 결과에 영향을주지 않고 BJT를 MOSFET으로 올바르게 교체하는 방법에 대해 설명합니다.

소개

MOSFET이 전자, 트랜지스터 또는 BJT 분야에 도착할 때까지 전력 스위칭 회로 및 애플리케이션을 정확하게 지배했습니다.

BJT (Bipolar Junction Transistor)조차도 엄청난 유연성과 저렴한 비용으로 인해 무시할 수 없지만, MOSFET은 고부하 스위칭에 관한 한 그리고 이러한 구성 요소와 관련된 높은 효율성으로 인해 확실히 큰 인기를 얻었습니다.

그러나이 두 구성 요소는 기능과 스타일이 비슷해 보일 수 있지만이 두 구성 요소는 특성과 구성이 완전히 다릅니다.

BJT와 MOSFET의 차이점

BJT와 MOSFET의 주요 차이점은 BJT 작동은 전류에 의존하고 부하에 비례하여 증가해야하는 반면 MOSFET은 전압에 의존한다는 것입니다.

그러나 여기서 MOSFET은 BJT보다 우위를 차지합니다. 왜냐하면 전압을 쉽게 조작하고 필요한 수준으로 많은 문제없이 달성 할 수 있기 때문입니다. 반면, 전류가 증가하면 전달되는 전력이 커져 효율성이 떨어지고 구성이 더 커집니다.

BJT에 대한 MOSFET의 또 다른 큰 장점은 입력 저항이 높기 때문에 장치에 의해 스위칭되는 부하가 아무리 커도 모든 로직 IC와 직접 통합 할 수 있다는 것입니다. 이 장점은 또한 매우 낮은 전류 입력 (mA 단위)으로도 많은 MOSFET을 병렬로 연결할 수 있도록합니다.

MOSFET은 기본적으로 두 가지 유형이 있습니다. 상승 모드 유형 및 고갈 모드 유형. 강화 유형이 더 자주 사용되며 널리 사용됩니다.

N 형 MOSFET은 게이트에 지정된 양의 전압을 적용하여 켜거나 활성화 할 수있는 반면, P 형 MOSFET은 켜지려면 음의 전압과 반대되는 전압 만 필요합니다.

BJT베이스 저항 대 MOSFET 게이트 저항

위에서 설명한 것처럼 BJT의 기본 스위칭은 전류에 따라 다릅니다. 컬렉터 부하 전류가 증가함에 따라 기본 전류가 비례 적으로 증가해야 함을 의미합니다.

이는 BJT의 기본 저항이 중요한 역할을하며 부하가 최적으로 켜질 수 있도록 정확하게 계산되어야 함을 의미합니다.

그러나 BJT의 기본 전압은 연결된 부하의 만족스러운 스위칭을 위해 0.6 ~ 1V만큼 낮을 수 있기 때문에 그다지 중요하지 않습니다.

MOSFET을 사용하면 그 반대입니다. 1 ~ 5mA의 낮은 전류로 3V에서 15V 사이의 모든 전압으로 켤 수 있습니다.

따라서 BJT에는 기본 저항이 중요 할 수 있지만 MOSFET 게이트 용 저항은 중요하지 않을 수 있습니다. 즉, 갑작스런 전압 스파이크 및 과도 상태로부터 장치를 보호하기 위해 낮은 값의 게이트 저항을 포함해야합니다.

5V 이상의 전압 또는 최대 12V의 전압은 대부분의 디지털 및 아날로그 IC에서 쉽게 사용할 수 있기 때문에 MOSFET 게이트는 부하 전류에 관계없이 이러한 신호 소스와 빠르게 인터페이스 할 수 있습니다.

트랜지스터 (BJT)를 MOSFET으로 교체하는 방법

일반적으로 관련 극성을 관리한다면 BJT를 MOSFET으로 쉽게 교체 할 수 있습니다.

NPN BJT의 경우 다음과 같은 방식으로 BJT를 올바르게 지정된 MOSFET으로 교체 할 수 있습니다.

• 일반적으로 MOSFET에는 더 이상 필요하지 않으므로 회로에서 기본 저항을 제거합니다.
• N-MOSFET의 게이트를 활성화 전압 소스에 직접 연결합니다.
• 양의 전원을 부하 단자 중 하나에 연결하고 부하의 다른 단자를 MOSFET의 드레인에 연결합니다.
• 마지막으로 MOSFET의 소스를 접지에 연결합니다 ....... 완료, 몇 분 내에 BJT를 MOSFET으로 교체했습니다.

절차는 PNP BJT가 P 채널 MOSFET으로 교체 되더라도 위와 같이 유지되며, 관련 공급 극성을 반전하면됩니다.

P- 채널 MOSFET이있는 PNP BJT 용 호환 핀아웃 교체 다이어그램